Справочник MOSFET. PMZ1200UPE

 

PMZ1200UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ1200UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ1200UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ1200UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  nxp
 pmz1200upe.pdf pdf_icon

PMZ1200UPE

PMZ1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching El

Другие MOSFET... PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE , RU7088R , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE .

History: IRFP4229PBF | NTMFD5C674NL | 2SK1684

 

 
Back to Top

 


 
.