PMZ1200UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ1200UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ1200UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ1200UPE даташит

 ..1. Size:212K  nxp
 pmz1200upe.pdf pdf_icon

PMZ1200UPE

PMZ1200UPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 25 March 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching El

Другие IGBT... PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE, IRFZ48N, PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE