PMZ200UNE Todos los transistores

 

PMZ200UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMZ200UNE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3
 

 Búsqueda de reemplazo de PMZ200UNE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMZ200UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  nxp
 pmz200une.pdf pdf_icon

PMZ200UNE

PMZ200UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology Ele

Otros transistores... PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , IRF830 , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE .

 

 
Back to Top

 


 
.