Справочник MOSFET. PMZ200UNE

 

PMZ200UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ200UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ200UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ200UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  nxp
 pmz200une.pdf pdf_icon

PMZ200UNE

PMZ200UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology Ele

Другие MOSFET... PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , IRF1405 , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE .

History: DMG4812SSS | FDP8N50NZU | CS10N60A8HD | NTMFS4939NT1G | AP9435GP-HF | RS1G120MN | TPB70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.