PMZ200UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ200UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ200UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ200UNE даташит

 ..1. Size:229K  nxp
 pmz200une.pdf pdf_icon

PMZ200UNE

PMZ200UNE 30 V, N-channel Trench MOSFET 12 March 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology Ele

Другие IGBT... PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE, PMZ1200UPE, PMZ130UNE, IRF830, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE