PMZ370UNE Todos los transistores

 

PMZ370UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMZ370UNE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.49 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3

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PMZ370UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  nxp
pmz370une.pdf

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PMZ370UNE30 V, N-channel Trench MOSFET14 May 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect

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