PMZ370UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ370UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ370UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ370UNE даташит

 ..1. Size:210K  nxp
 pmz370une.pdf pdf_icon

PMZ370UNE

PMZ370UNE 30 V, N-channel Trench MOSFET 14 May 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect

Другие IGBT... PMZ1200UPE, PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, EMB04N03H, PMZ390UNE, PMZ550UNE, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN