PMZ370UNE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMZ370UNE
Маркировка: ZM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.05 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.77 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.49 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
PMZ370UNE Datasheet (PDF)
..1. Size:210K nxp
pmz370une.pdf
pmz370une.pdf
PMZ370UNE30 V, N-channel Trench MOSFET14 May 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
