Справочник MOSFET. PMZ370UNE

 

PMZ370UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ370UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ370UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ370UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  nxp
 pmz370une.pdf pdf_icon

PMZ370UNE

PMZ370UNE30 V, N-channel Trench MOSFET14 May 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect

Другие MOSFET... PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , 2SK3918 , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN .

History: AK4N60S | DH012N03 | DCC016M120G2 | SHD226408 | HY1303C | GT045N10T | 2N90G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.