PMZ550UNE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMZ550UNE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

 Búsqueda de reemplazo de PMZ550UNE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMZ550UNE datasheet

 ..1. Size:217K  nxp
 pmz550une.pdf pdf_icon

PMZ550UNE

PMZ550UNE 30 V, N-channel Trench MOSFET 25 March 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele

Otros transistores... PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, MMIS60R580P, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE, PMZB290UNE2