PMZ550UNE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMZ550UNE
Маркировка: ZK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.59 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.6 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 5.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.67 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
PMZ550UNE Datasheet (PDF)
..1. Size:217K nxp
pmz550une.pdf
pmz550une.pdf
PMZ550UNE30 V, N-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
