Справочник MOSFET. PMZ550UNE

 

PMZ550UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ550UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ550UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ550UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  nxp
 pmz550une.pdf pdf_icon

PMZ550UNE

PMZ550UNE30 V, N-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele

Другие MOSFET... PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , 2N7002 , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 .

History: 2SJ285 | SWT69N65K2F | SI8499DB | APT60M75L2LL | STD30PF03L-1 | AOH3106

 

 
Back to Top

 


 
.