PMZ550UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ550UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ550UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ550UNE даташит

 ..1. Size:217K  nxp
 pmz550une.pdf pdf_icon

PMZ550UNE

PMZ550UNE 30 V, N-channel Trench MOSFET 25 March 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Ele

Другие IGBT... PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, MMIS60R580P, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE, PMZB290UNE2