PMZ600UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMZ600UNE
   Código: SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.36 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.95 V
   Carga de la puerta (Qg): 0.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5.4 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMZ600UNE

PMZ600UNE Datasheet (PDF)

..1. Size:233K nxp
pmz600une.pdf

PMZ600UNE20 V, N-channel Trench MOSFET26 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6

0.1. Size:719K nxp
pmz600unel.pdf

PMZ600UNEL20 V, N-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6 0.48

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Liste

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