PMZ600UNE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMZ600UNE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

 Búsqueda de reemplazo de PMZ600UNE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMZ600UNE datasheet

 ..1. Size:233K  nxp
 pmz600une.pdf pdf_icon

PMZ600UNE

PMZ600UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 26 June 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package 1.0 0.6

 0.1. Size:719K  nxp
 pmz600unel.pdf pdf_icon

PMZ600UNE

PMZ600UNEL 20 V, N-channel Trench MOSFET 28 June 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package 1.0 0.6 0.48

Otros transistores... PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE, AOD4184A, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE, PMZB290UNE2, PMZB300XN