PMZ600UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ600UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для PMZ600UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ600UNE даташит

 ..1. Size:233K  nxp
 pmz600une.pdf pdf_icon

PMZ600UNE

PMZ600UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 26 June 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package 1.0 0.6

 0.1. Size:719K  nxp
 pmz600unel.pdf pdf_icon

PMZ600UNE

PMZ600UNEL 20 V, N-channel Trench MOSFET 28 June 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package 1.0 0.6 0.48

Другие IGBT... PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, PMZ350UPE, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE, AOD4184A, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE, PMZB290UN, PMZB290UNE, PMZB290UNE2, PMZB300XN