Справочник MOSFET. PMZ600UNE

 

PMZ600UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ600UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ600UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ600UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  nxp
 pmz600une.pdf pdf_icon

PMZ600UNE

PMZ600UNE20 V, N-channel Trench MOSFET26 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6

 0.1. Size:719K  nxp
 pmz600unel.pdf pdf_icon

PMZ600UNE

PMZ600UNEL20 V, N-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6 0.48

Другие MOSFET... PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , HY1906P , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN .

History: TPCA8030-H | BRCS3134ZK | IPB80N06S4L-07 | BRCS035N06SZC | 2SK1983 | PMN25ENEA | FTK7002E

 

 
Back to Top

 


 
.