PMZB1200UPE Todos los transistores

 

PMZB1200UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMZB1200UPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMZB1200UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  nxp
 pmzb1200upe.pdf pdf_icon

PMZB1200UPE

PMZB1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb150une.pdf pdf_icon

PMZB1200UPE

PMZB150UNE20 V, N-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

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History: STP33N65M2 | STP55N06L

 

 
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