PMZB1200UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMZB1200UPE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: DFN1006B-3
Аналог (замена) для PMZB1200UPE
PMZB1200UPE Datasheet (PDF)
pmzb1200upe.pdf
PMZB1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching
pmzb150une.pdf
PMZB150UNE20 V, N-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918