Справочник MOSFET. PMZB1200UPE

 

PMZB1200UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB1200UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB1200UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB1200UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  nxp
 pmzb1200upe.pdf pdf_icon

PMZB1200UPE

PMZB1200UPE30 V, P-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb150une.pdf pdf_icon

PMZB1200UPE

PMZB150UNE20 V, N-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , PMZ350UPE , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , AO4468 , PMZB150UNE , PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE .

History: 2SK1113 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | RFT2P03L

 

 
Back to Top

 


 
.