PMZB420UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZB420UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.49 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
Búsqueda de reemplazo de PMZB420UN MOSFET
PMZB420UN Datasheet (PDF)
pmzb420un.pdf

PMZB420UN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 11 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Low threshold voltage
Otros transistores... PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , IRF640 , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 .
History: FTK2N60F | 2SK4091-ZK-E2-AY | RU190N08Q | BUK7C10-75AITE | 2SK3530-01MR | CJCD2005
History: FTK2N60F | 2SK4091-ZK-E2-AY | RU190N08Q | BUK7C10-75AITE | 2SK3530-01MR | CJCD2005



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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