PMZB420UN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMZB420UN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.75 nC
Время нарастания (tr): 7.5 ns
Выходная емкость (Cd): 7.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.49 Ohm
Тип корпуса: DFN1006B-3
PMZB420UN Datasheet (PDF)
..1. Size:893K nxp
pmzb420un.pdf
pmzb420un.pdf
PMZB420UN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 11 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Low threshold voltage
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
