Справочник MOSFET. PMZB420UN

 

PMZB420UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB420UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB420UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB420UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  nxp
 pmzb420un.pdf pdf_icon

PMZB420UN

PMZB420UN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 11 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Low threshold voltage

Другие MOSFET... PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , IRF640 , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 .

History: RU190N08Q | 2SJ247 | CJCD2005 | BUK7C10-75AITE | HGP095NE4SL

 

 
Back to Top

 


 
.