PMZB550UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZB550UNE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.59 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
Búsqueda de reemplazo de PMZB550UNE MOSFET
PMZB550UNE Datasheet (PDF)
pmzb550une.pdf

PMZB550UNE30 V, N-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching
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History: OSG70R280KF | IRFZ34EPBF | DH045N04P
History: OSG70R280KF | IRFZ34EPBF | DH045N04P



Liste
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