PMZB550UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZB550UNE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.59 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
Búsqueda de reemplazo de PMZB550UNE MOSFET
PMZB550UNE Datasheet (PDF)
pmzb550une.pdf

PMZB550UNE30 V, N-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching
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History: SM6A27NSF | IXTQ60N10T | AFP8473 | HY15P03C2 | WPM3020 | SWP078R08E8T
History: SM6A27NSF | IXTQ60N10T | AFP8473 | HY15P03C2 | WPM3020 | SWP078R08E8T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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