Справочник MOSFET. PMZB550UNE

 

PMZB550UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB550UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB550UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB550UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  nxp
 pmzb550une.pdf pdf_icon

PMZB550UNE

PMZB550UNE30 V, N-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

Другие MOSFET... PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , IRFZ44 , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 .

History: SI7774DP | MMQ60R190PTH | BRCS300P016MC | MPVA20N50F | DMP3036SFG | MTP3J15N3 | NVMFS5C670NL

 

 
Back to Top

 


 
.