Справочник MOSFET. PMZB550UNE

 

PMZB550UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB550UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB550UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  nxp
 pmzb550une.pdf pdf_icon

PMZB550UNE

PMZB550UNE30 V, N-channel Trench MOSFET25 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SPI11N65C3 | SQJ460AEP | STF445 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.