PMZB790SN Todos los transistores

 

PMZB790SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMZB790SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.94 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
 

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PMZB790SN Datasheet (PDF)

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PMZB790SN

PMZB790SN60 V, single N-channel Trench MOSFET14 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Log

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History: PJE8400 | AP4439GH-HF

 

 
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