PMZB790SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZB790SN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.8 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.94 Ohm
Encapsulados: DFN1006B-3
Búsqueda de reemplazo de PMZB790SN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PMZB790SN datasheet
pmzb790sn.pdf
PMZB790SN 60 V, single N-channel Trench MOSFET 14 August 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Log
Otros transistores... PMZB350UPE, PMZB370UNE, PMZB380XN, PMZB390UNE, PMZB420UN, PMZB550UNE, PMZB600UNE, PMZB670UPE, IRLZ44N, PMZB950UPE, PNM23T100V6, PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, PNM8N30V60
History: HM25P04D
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet
