PMZB790SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZB790SN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.94 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
Búsqueda de reemplazo de PMZB790SN MOSFET
PMZB790SN Datasheet (PDF)
pmzb790sn.pdf

PMZB790SN60 V, single N-channel Trench MOSFET14 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Log
Otros transistores... PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , IRFP260N , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 .
History: 8N65KL-TM3-T | PMPB47XP | MPSY65M170 | PMG85XP | RFL1N10 | S-LP2307LT1G | HGW059N12S
History: 8N65KL-TM3-T | PMPB47XP | MPSY65M170 | PMG85XP | RFL1N10 | S-LP2307LT1G | HGW059N12S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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