Справочник MOSFET. PMZB790SN

 

PMZB790SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB790SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.94 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB790SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB790SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  nxp
 pmzb790sn.pdf pdf_icon

PMZB790SN

PMZB790SN60 V, single N-channel Trench MOSFET14 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Log

Другие MOSFET... PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , IRFP260N , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 .

History: AFN08N50T220T | PSMN5R0-100PS | VBE1638 | IRF540ZSPBF | IRFS621 | MMQ60R115PTH

 

 
Back to Top

 


 
.