PMZB950UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZB950UPE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.19 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
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PMZB950UPE Datasheet (PDF)
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Liste
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