Справочник MOSFET. PMZB950UPE

 

PMZB950UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB950UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB950UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB950UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  nxp
 pmzb950upe.pdf pdf_icon

PMZB950UPE

PMZB950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET28 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic packa

 0.1. Size:719K  nxp
 pmzb950upel.pdf pdf_icon

PMZB950UPE

PMZB950UPEL20 V, P-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and

Другие MOSFET... PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , IRF640N , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 , PNM8P30V12 .

History: HM25N06Q | VBZE20N10 | APM4008NU | 1N65L-T92-B | AM90P06-20P | IXTQ74N20P | STD180N4F6

 

 
Back to Top

 


 
.