Справочник MOSFET. PMZB950UPE

 

PMZB950UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMZB950UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.95 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3

 Аналог (замена) для PMZB950UPE

 

 

PMZB950UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  nxp
 pmzb950upe.pdf

PMZB950UPE PMZB950UPE

PMZB950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET28 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic packa

 0.1. Size:719K  nxp
 pmzb950upel.pdf

PMZB950UPE PMZB950UPE

PMZB950UPEL20 V, P-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top