PMZB950UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZB950UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: DFN1006B-3

Аналог (замена) для PMZB950UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB950UPE даташит

 ..1. Size:225K  nxp
 pmzb950upe.pdf pdf_icon

PMZB950UPE

PMZB950UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 28 July 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic packa

 0.1. Size:719K  nxp
 pmzb950upel.pdf pdf_icon

PMZB950UPE

PMZB950UPEL 20 V, P-channel Trench MOSFET 5 December 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and

Другие IGBT... PMZB370UNE, PMZB380XN, PMZB390UNE, PMZB420UN, PMZB550UNE, PMZB600UNE, PMZB670UPE, PMZB790SN, IRFB4110, PNM23T100V6, PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, PNM8N30V60, PNM8P30V12