PNM23T100V6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNM23T100V6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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PNM23T100V6 datasheet

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PNM23T100V6

PNM23T100V6 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 100 110@VGS=10V 6 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- C

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PNM23T100V6

PNM23T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM23T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) VGS(th)(V) ID(A) G 1 40 7.5@ VGS=10V 0.5 to 1.5 0.2 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified)

Otros transistores... PMZB380XN, PMZB390UNE, PMZB420UN, PMZB550UNE, PMZB600UNE, PMZB670UPE, PMZB790SN, PMZB950UPE, IRF640N, PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, PNM8N30V60, PNM8P30V12, PNM8P30V20