PNM23T100V6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNM23T100V6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для PNM23T100V6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNM23T100V6 даташит

 ..1. Size:125K  prisemi
 pnm23t100v6.pdf pdf_icon

PNM23T100V6

PNM23T100V6 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 100 110@VGS=10V 6 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- C

 8.1. Size:112K  prisemi
 pnm23t703e0-2.pdf pdf_icon

PNM23T100V6

PNM23T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM23T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) VGS(th)(V) ID(A) G 1 40 7.5@ VGS=10V 0.5 to 1.5 0.2 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified)

Другие IGBT... PMZB380XN, PMZB390UNE, PMZB420UN, PMZB550UNE, PMZB600UNE, PMZB670UPE, PMZB790SN, PMZB950UPE, IRF640N, PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, PNM8N30V60, PNM8P30V12, PNM8P30V20