PNM23T703E0-2 Todos los transistores

 

PNM23T703E0-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNM23T703E0-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de PNM23T703E0-2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PNM23T703E0-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  prisemi
 pnm23t703e0-2.pdf pdf_icon

PNM23T703E0-2

PNM23T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM23T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() VGS(th)(V) ID(A) G1 40 7.5@ VGS=10V 0.5 to 1.5 0.2 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified)

 8.1. Size:125K  prisemi
 pnm23t100v6.pdf pdf_icon

PNM23T703E0-2

PNM23T100V6 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100 110@VGS=10V 6G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- C

Otros transistores... PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , 10N60 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 , PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 .

History: SIHFDC20 | HGK110N20S | TK12X60U | STD65N3LLH5 | SIR440DP | NCE65N260I

 

 
Back to Top

 


 
.