Справочник MOSFET. PNM23T703E0-2

 

PNM23T703E0-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNM23T703E0-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PNM23T703E0-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  prisemi
 pnm23t703e0-2.pdf pdf_icon

PNM23T703E0-2

PNM23T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM23T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() VGS(th)(V) ID(A) G1 40 7.5@ VGS=10V 0.5 to 1.5 0.2 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified)

 8.1. Size:125K  prisemi
 pnm23t100v6.pdf pdf_icon

PNM23T703E0-2

PNM23T100V6 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100 110@VGS=10V 6G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2539 | ZVNL120ASTZ | HM4407 | IPD50R280CE

 

 
Back to Top

 


 
.