Справочник MOSFET. PNM23T703E0-2

 

PNM23T703E0-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNM23T703E0-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для PNM23T703E0-2

 

 

PNM23T703E0-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  prisemi
 pnm23t703e0-2.pdf

PNM23T703E0-2 PNM23T703E0-2

PNM23T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM23T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() VGS(th)(V) ID(A) G1 40 7.5@ VGS=10V 0.5 to 1.5 0.2 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified)

 8.1. Size:125K  prisemi
 pnm23t100v6.pdf

PNM23T703E0-2 PNM23T703E0-2

PNM23T100V6 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100 110@VGS=10V 6G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top