PNM8N30V60 Todos los transistores

 

PNM8N30V60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNM8N30V60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5*6-8L
 

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PNM8N30V60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnm8n30v60.pdf pdf_icon

PNM8N30V60

PNM8N30V60 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 60Internal Structure Top View (PDFN5*6-8L ) D D D D D(5678)8 7 6 5 G(4) S(123)1 4 2 3S S S GAbsolute maximum rating@25 Para

Otros transistores... PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , IRFB4110 , PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 .

History: AON7532E | SSM4500GM | CS7N65K | 2SK1430 | HSS3400A | GSM7002 | NVD5117PL

 

 
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