PNM8N30V60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNM8N30V60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: PDFN5*6-8L

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PNM8N30V60 datasheet

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PNM8N30V60

PNM8N30V60 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 60 Internal Structure Top View (PDFN5*6-8L ) D D D D D(5 6 7 8) 8 7 6 5 G(4) S(1 2 3) 1 4 2 3 S S S G Absolute maximum rating@25 Para

Otros transistores... PMZB790SN, PMZB950UPE, PNM23T100V6, PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, AON6414A, PNM8P30V12, PNM8P30V20, PNMDP100V10, PNMDP30V60, PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, PNMDP600V4