PNM8N30V60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNM8N30V60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: PDFN5*6-8L

Аналог (замена) для PNM8N30V60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNM8N30V60 даташит

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnm8n30v60.pdf pdf_icon

PNM8N30V60

PNM8N30V60 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 60 Internal Structure Top View (PDFN5*6-8L ) D D D D D(5 6 7 8) 8 7 6 5 G(4) S(1 2 3) 1 4 2 3 S S S G Absolute maximum rating@25 Para

Другие IGBT... PMZB790SN, PMZB950UPE, PNM23T100V6, PNM23T703E0-2, PNM523T201E0, PNM523T703E0-2, PNM723T201E0, PNM723T703E0-2, AON6414A, PNM8P30V12, PNM8P30V20, PNMDP100V10, PNMDP30V60, PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, PNMDP600V4