Справочник MOSFET. PNM8N30V60

 

PNM8N30V60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNM8N30V60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5*6-8L
 

 Аналог (замена) для PNM8N30V60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNM8N30V60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnm8n30v60.pdf pdf_icon

PNM8N30V60

PNM8N30V60 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 60Internal Structure Top View (PDFN5*6-8L ) D D D D D(5678)8 7 6 5 G(4) S(123)1 4 2 3S S S GAbsolute maximum rating@25 Para

Другие MOSFET... PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , IRFB4110 , PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 .

History: 12P10G-TN3-R | BSP126 | 11NM70L-TF3-T | UT3N10G-TN3-R | AOT2146L | STP6N60M2 | UF2N30

 

 
Back to Top

 


 
.