PNM8P30V12 Todos los transistores

 

PNM8P30V12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNM8P30V12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PNM8P30V12 Datasheet (PDF)

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PNM8P30V12

PNM8P30V12 N-Channel MOSFET Description The N-channel MOSFET has been designed specifically to improve the D5678 overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low on-resistance and fast switching speed. G4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) I

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PNM8P30V12

PNM8P30V20 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 23Internal Structure Top View (SOP-8) D S D 1 8 S 2 7 D 6 G 3 D S 5 4 D G S Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum

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History: DADMI040N120Z1B | TSP4N60M | 2SK4067I | ZXMP6A17GTA | DCCF060M65G2 | BLP032N06-Q

 

 
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