PNM8P30V12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PNM8P30V12
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для PNM8P30V12
PNM8P30V12 Datasheet (PDF)
pnm8p30v12.pdf
PNM8P30V12 N-Channel MOSFET Description The N-channel MOSFET has been designed specifically to improve the D5678 overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low on-resistance and fast switching speed. G4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) I
pnm8p30v20.pdf
PNM8P30V20 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 23Internal Structure Top View (SOP-8) D S D 1 8 S 2 7 D 6 G 3 D S 5 4 D G S Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
