PNM8P30V20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNM8P30V20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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PNM8P30V20 datasheet

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PNM8P30V20

PNM8P30V20 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 23 Internal Structure Top View (SOP-8) D S D 1 8 S 2 7 D 6 G 3 D S 5 4 D G S Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum

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PNM8P30V20

PNM8P30V12 N-Channel MOSFET Description The N-channel MOSFET has been designed specifically to improve the D 5 6 7 8 overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low on-resistance and fast switching speed. G 4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) I

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