PNM8P30V20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PNM8P30V20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.72 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 43 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 690 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PNM8P30V20
PNM8P30V20 Datasheet (PDF)
pnm8p30v20.pdf
PNM8P30V20 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 23Internal Structure Top View (SOP-8) D S D 1 8 S 2 7 D 6 G 3 D S 5 4 D G S Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum
pnm8p30v12.pdf
PNM8P30V12 N-Channel MOSFET Description The N-channel MOSFET has been designed specifically to improve the D5678 overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low on-resistance and fast switching speed. G4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) I
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