Справочник MOSFET. PNM8P30V20

 

PNM8P30V20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNM8P30V20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PNM8P30V20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNM8P30V20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  prisemi
 pnm8p30v20.pdf pdf_icon

PNM8P30V20

PNM8P30V20 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 3.7@ VGS=4.5V 23Internal Structure Top View (SOP-8) D S D 1 8 S 2 7 D 6 G 3 D S 5 4 D G S Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum

 6.1. Size:107K  prisemi
 pnm8p30v12.pdf pdf_icon

PNM8P30V20

PNM8P30V12 N-Channel MOSFET Description The N-channel MOSFET has been designed specifically to improve the D5678 overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low on-resistance and fast switching speed. G4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) I

Другие MOSFET... PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 , PNM723T703E0-2 , PNM8N30V60 , PNM8P30V12 , IRF9540 , PNMDP100V10 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 .

History: SSF3056C | BLP02N06-Q | 2SK3274L | 12N65A | BLS6G2731-6G | SIHFP048R | INK0003AM1

 

 
Back to Top

 


 
.