PNMDP600V4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PNMDP600V4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de PNMDP600V4 MOSFET
PNMDP600V4 Datasheet (PDF)
pnmdp600v4 pnmip600v4.pdf
PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drai
pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf
PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drai
pnmdp600v1 pnmip600v1.pdf
PNMDP600V1 PNMIP600V1 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 7.5@ VGS=10V 1.3G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dr
pnmdp30v60.pdf
PNMDP30V60 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 30 8.3@VGS=10V 60G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 60 Drai
Otros transistores... PNM8N30V60 , PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , K3569 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , PNMT30V6 , PNMT45V2 , PNMT50V02E .
Liste
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