PNMDP600V4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNMDP600V4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de PNMDP600V4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PNMDP600V4 datasheet

 ..1. Size:113K  prisemi
pnmdp600v4 pnmip600v4.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

 5.1. Size:113K  prisemi
pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

 5.2. Size:113K  prisemi
pnmdp600v1 pnmip600v1.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP600V1 PNMIP600V1 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 7.5@ VGS=10V 1.3 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dr

 9.1. Size:123K  prisemi
pnmdp30v60.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP30V60 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 30 8.3@VGS=10V 60 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 60 Drai

Otros transistores... PNM8N30V60, PNM8P30V12, PNM8P30V20, PNMDP100V10, PNMDP30V60, PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, IRF9540, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, PNMT20V3, PNMT30V6, PNMT45V2, PNMT50V02E