PNMDP600V4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMDP600V4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PNMDP600V4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMDP600V4 даташит

 ..1. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v4 pnmip600v4.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

 5.1. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

 5.2. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v1 pnmip600v1.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP600V1 PNMIP600V1 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 7.5@ VGS=10V 1.3 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dr

 9.1. Size:123K  prisemi
 pnmdp30v60.pdf pdf_icon

PNMDP600V4

PNMDP30V60 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 30 8.3@VGS=10V 60 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 60 Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PNM8N30V60, PNM8P30V12, PNM8P30V20, PNMDP100V10, PNMDP30V60, PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, IRF9540, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, PNMT20V3, PNMT30V6, PNMT45V2, PNMT50V02E