PNMET20V06E Todos los transistores

 

 

PNMET20V06E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMET20V06E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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PNMET20V06E Datasheet (PDF)

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PNMET20V06E

PNMET20V06E N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source

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History: JS65R170SM | PH955L | FQB17N08LTM

 

 
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