PNMET20V06E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMET20V06E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для PNMET20V06E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMET20V06E даташит

 ..1. Size:109K  prisemi
 pnmet20v06e.pdf pdf_icon

PNMET20V06E

PNMET20V06E N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6 G 1 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drain-Source

Другие IGBT... PNM8P30V12, PNM8P30V20, PNMDP100V10, PNMDP30V60, PNMDP30V90, PNMDP600V1, PNMDP600V2, PNMDP600V4, AON7408, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, PNMT20V3, PNMT30V6, PNMT45V2, PNMT50V02E, PNMT60V02