Справочник MOSFET. PNMET20V06E

 

PNMET20V06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMET20V06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для PNMET20V06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMET20V06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  prisemi
 pnmet20v06e.pdf pdf_icon

PNMET20V06E

PNMET20V06E N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source

Другие MOSFET... PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , 2N7000 , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , PNMT30V6 , PNMT45V2 , PNMT50V02E , PNMT60V02 .

History: HTJ440P02 | MDP13N50GTH | ME7632S-G | SI2336DS | BSP317P | BUK9609-40B | LNC18N50

 

 
Back to Top

 


 
.