PNMET20V06E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PNMET20V06E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT-523
Аналог (замена) для PNMET20V06E
PNMET20V06E Datasheet (PDF)
pnmet20v06e.pdf
PNMET20V06E N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source
Другие MOSFET... PNM8P30V12 , PNM8P30V20 , PNMDP100V10 , PNMDP30V60 , PNMDP30V90 , PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , AON7408 , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , PNMT30V6 , PNMT45V2 , PNMT50V02E , PNMT60V02 .
History: WMJ023N08HGS | SSP7461P | N0400P | HMS11N65K | PNMDP600V2 | STU75N3LLH6
History: WMJ023N08HGS | SSP7461P | N0400P | HMS11N65K | PNMDP600V2 | STU75N3LLH6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet


