Справочник MOSFET. PNMET20V06E

 

PNMET20V06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMET20V06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.85 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMET20V06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  prisemi
 pnmet20v06e.pdf pdf_icon

PNMET20V06E

PNMET20V06E N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.3@ VGS=4.5V 0.6G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SPD04N60C3 | FDC654P | STW15NB50

 

 
Back to Top

 


 
.