PNMT45V2 Todos los transistores

 

PNMT45V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMT45V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PNMT45V2 Datasheet (PDF)

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PNMT45V2

PNMT45V2 2.5V Drive N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100@ VGS=10V G1 45 110@ VGS=4.5V 2 160@ VGS=2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 45 VGate-Source Voltage VGS 12

Otros transistores... PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , PNMT30V6 , 5N60 , PNMT50V02E , PNMT60V02 , PNMT60V02E , PNMT60V3 , PNMTO600V2 , PNMTO600V4 , PNMTO600V5 , PNMTO600V7 .

History: IRFBE30SPBF | 2SK3371

 

 
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