PNMT45V2 Todos los transistores

 

PNMT45V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMT45V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PNMT45V2 Datasheet (PDF)

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PNMT45V2

PNMT45V2 2.5V Drive N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100@ VGS=10V G1 45 110@ VGS=4.5V 2 160@ VGS=2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 45 VGate-Source Voltage VGS 12

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History: 2N60G-TN3-R | 2SK3834

 

 
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