PNMT45V2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNMT45V2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PNMT45V2 datasheet

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PNMT45V2

PNMT45V2 2.5V Drive N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 100@ VGS=10V G 1 45 110@ VGS=4.5V 2 160@ VGS=2.5V S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 45 V Gate-Source Voltage VGS 12

Otros transistores... PNMDP600V2, PNMDP600V4, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, PNMT20V3, PNMT30V6, IRLB4132, PNMT50V02E, PNMT60V02, PNMT60V02E, PNMT60V3, PNMTO600V2, PNMTO600V4, PNMTO600V5, PNMTO600V7