PNMT45V2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PNMT45V2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
PNMT45V2 Datasheet (PDF)
..1. Size:123K prisemi
pnmt45v2.pdf
pnmt45v2.pdf
PNMT45V2 2.5V Drive N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100@ VGS=10V G1 45 110@ VGS=4.5V 2 160@ VGS=2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 45 VGate-Source Voltage VGS 12
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
