PNMT45V2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMT45V2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PNMT45V2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT45V2 даташит

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnmt45v2.pdf pdf_icon

PNMT45V2

PNMT45V2 2.5V Drive N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 100@ VGS=10V G 1 45 110@ VGS=4.5V 2 160@ VGS=2.5V S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 45 V Gate-Source Voltage VGS 12

Другие IGBT... PNMDP600V2, PNMDP600V4, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, PNMT20V3, PNMT30V6, IRLB4132, PNMT50V02E, PNMT60V02, PNMT60V02E, PNMT60V3, PNMTO600V2, PNMTO600V4, PNMTO600V5, PNMTO600V7