Справочник MOSFET. PNMT45V2

 

PNMT45V2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMT45V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT45V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  prisemi
 pnmt45v2.pdf pdf_icon

PNMT45V2

PNMT45V2 2.5V Drive N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100@ VGS=10V G1 45 110@ VGS=4.5V 2 160@ VGS=2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 45 VGate-Source Voltage VGS 12

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF820LPBF | HIRF840F | IRHLYS77034CM | SUM18N25-165 | NCE60N640D | GSM501DEA | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.