PNMT50V02E Todos los transistores

 

PNMT50V02E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMT50V02E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PNMT50V02E Datasheet (PDF)

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PNMT50V02E

PNMT50V02E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (3) VDS(V) RDS(on)() ID(A) 50 1@VGS=10V 0.22G (1) S (2) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 50 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- Cont

Otros transistores... PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , PNMT30V6 , PNMT45V2 , AO3400 , PNMT60V02 , PNMT60V02E , PNMT60V3 , PNMTO600V2 , PNMTO600V4 , PNMTO600V5 , PNMTO600V7 , PNMTO600V8 .

History: IRFBE30SPBF | 2SK3371

 

 
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