Справочник MOSFET. PNMT50V02E

 

PNMT50V02E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNMT50V02E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.22 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 2.4 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 15 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для PNMT50V02E

 

 

PNMT50V02E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  prisemi
 pnmt50v02e.pdf

PNMT50V02E PNMT50V02E

PNMT50V02E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (3) VDS(V) RDS(on)() ID(A) 50 1@VGS=10V 0.22G (1) S (2) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 50 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- Cont

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top