Справочник MOSFET. PNMT50V02E

 

PNMT50V02E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMT50V02E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT50V02E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  prisemi
 pnmt50v02e.pdf pdf_icon

PNMT50V02E

PNMT50V02E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (3) VDS(V) RDS(on)() ID(A) 50 1@VGS=10V 0.22G (1) S (2) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 50 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- Cont

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPA70R360M | BUK127-50DL | DF11MR12W1M1PB11 | MTM30N50 | AONG36322 | CEM2539A | AP2310GK-HF

 

 
Back to Top

 


 
.