Справочник MOSFET. PNMT50V02E

 

PNMT50V02E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMT50V02E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PNMT50V02E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT50V02E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  prisemi
 pnmt50v02e.pdf pdf_icon

PNMT50V02E

PNMT50V02E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (3) VDS(V) RDS(on)() ID(A) 50 1@VGS=10V 0.22G (1) S (2) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 50 VGate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- Cont

Другие MOSFET... PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , PNMT30V6 , PNMT45V2 , AO3400 , PNMT60V02 , PNMT60V02E , PNMT60V3 , PNMTO600V2 , PNMTO600V4 , PNMTO600V5 , PNMTO600V7 , PNMTO600V8 .

History: AP2613GYT-HF | PNMTOF600V5

 

 
Back to Top

 


 
.