PNMT50V02E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMT50V02E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PNMT50V02E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMT50V02E даташит

 ..1. Size:136K  prisemi
 pnmt50v02e.pdf pdf_icon

PNMT50V02E

PNMT50V02E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (3) VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 50 1@VGS=10V 0.22 G (1) S (2) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 50 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Drain Current- Cont

Другие IGBT... PNMDP600V4, PNMET20V06E, PNMIP600V1, PNMIP600V2, PNMIP600V4, PNMT20V3, PNMT30V6, PNMT45V2, AO3401, PNMT60V02, PNMT60V02E, PNMT60V3, PNMTO600V2, PNMTO600V4, PNMTO600V5, PNMTO600V7, PNMTO600V8