PNMTO600V4 Todos los transistores

 

PNMTO600V4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMTO600V4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

PNMTO600V4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 5.1. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0G1 S3Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 5.2. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 5.3. Size:124K  prisemi
 pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0G1 S3Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOFRating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 V

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History: SSF3056C | FDN338 | MCQ03N06 | 2SK3107C | IRLZ34NS | SI6435ADQ | S10H12S

 

 
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