PNMTO600V4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMTO600V4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для PNMTO600V4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTO600V4 даташит

 ..1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

 5.1. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 5.2. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

 5.3. Size:124K  prisemi
 pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOF Rating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PNMT20V3, PNMT30V6, PNMT45V2, PNMT50V02E, PNMT60V02, PNMT60V02E, PNMT60V3, PNMTO600V2, SKD502T, PNMTO600V5, PNMTO600V7, PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8