Справочник MOSFET. PNMTO600V4

 

PNMTO600V4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMTO600V4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PNMTO600V4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTO600V4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 5.1. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0G1 S3Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 5.2. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2G1 S3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Dra

 5.3. Size:124K  prisemi
 pnmto600v8 pnmtof600v8.pdf pdf_icon

PNMTO600V4

PNMTO600V8 PNMTOF600V8 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 600 0.98@ VGS=10V 8.0G1 S3Absolute maximum rating@25 PNMTO6 PNMTOFRating Symbol Units 00V8 600V8 Drain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNMT20V3 , PNMT30V6 , PNMT45V2 , PNMT50V02E , PNMT60V02 , PNMT60V02E , PNMT60V3 , PNMTO600V2 , IRF9540N , PNMTO600V5 , PNMTO600V7 , PNMTO600V8 , PNMTOF600V2 , PNMTOF600V4 , PNMTOF600V5 , PNMTOF600V7 , PNMTOF600V8 .

History: 2SK3117 | SDF40N50JAM | PSMN2R8-40PS | MDU1402VRH | JCS4N65MF | PSMN1R6-30PL | AP95T07GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.