PNMTOF650V13 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PNMTOF650V13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNMTOF650V13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PNMTOF650V13 datasheet

..1. Size:145K prisemi
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PNMTOF650V13 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 650 0.7@VGS=10V 13 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TA=25 13 C

7.1. Size:119K prisemi
pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

7.2. Size:124K prisemi
pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

7.3. Size:119K prisemi
pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

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