PNMTOF650V13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMTOF650V13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PNMTOF650V13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMTOF650V13 даташит

 ..1. Size:145K  prisemi
 pnmtof650v13.pdf pdf_icon

PNMTOF650V13

PNMTOF650V13 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 650 0.7@VGS=10V 13 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TA=25 13 C

 7.1. Size:119K  prisemi
 pnmto600v4 pnmtof600v4.pdf pdf_icon

PNMTOF650V13

PNMTO600V4 PNMTOF600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

 7.2. Size:124K  prisemi
 pnmto600v7 pnmtof600v7.pdf pdf_icon

PNMTOF650V13

PNMTO600V7 PNMTOF600V7 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.1@ VGS=10V 7.0 G 1 S 3 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Curre

 7.3. Size:119K  prisemi
 pnmto600v2 pnmtof600v2.pdf pdf_icon

PNMTOF650V13

PNMTO600V2 PNMTOF600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PNMTO600V5, PNMTO600V7, PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, IRF530, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0