PNMVT20V03E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNMVT20V03E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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PNMVT20V03E datasheet

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PNMVT20V03E

PNMVT20V03E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) 0.5@ VGS=4.0V G 1 20 0.7@ VGS=2.5V 300 0.9@ VGS=1.8V S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-So

Otros transistores... PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, NCEP15T14, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10