PNMVT20V03E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PNMVT20V03E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723

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PNMVT20V03E Datasheet (PDF)

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pnmvt20v03e.pdf

PNMVT20V03E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) 0.5@ VGS=4.0V G1 20 0.7@ VGS=2.5V 300 0.9@ VGS=1.8V S2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 20 VGate-So

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Liste

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