PNMVT20V03E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNMVT20V03E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

Аналог (замена) для PNMVT20V03E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMVT20V03E даташит

 ..1. Size:115K  prisemi
 pnmvt20v03e.pdf pdf_icon

PNMVT20V03E

PNMVT20V03E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) 0.5@ VGS=4.0V G 1 20 0.7@ VGS=2.5V 300 0.9@ VGS=1.8V S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-So

Другие IGBT... PNMTO600V8, PNMTOF600V2, PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, NCEP15T14, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10