Справочник MOSFET. PNMVT20V03E

 

PNMVT20V03E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PNMVT20V03E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-723
 

 Аналог (замена) для PNMVT20V03E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNMVT20V03E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  prisemi
 pnmvt20v03e.pdf pdf_icon

PNMVT20V03E

PNMVT20V03E N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) 0.5@ VGS=4.0V G1 20 0.7@ VGS=2.5V 300 0.9@ VGS=1.8V S2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS 20 VGate-So

Другие MOSFET... PNMTO600V8 , PNMTOF600V2 , PNMTOF600V4 , PNMTOF600V5 , PNMTOF600V7 , PNMTOF600V8 , PNMTOF650V13 , PNMUT20V06 , IRFP450 , PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 , PPMDP100V10 .

History: PJP2NA60 | UPA2770GR | AP18T10GP

 

 
Back to Top

 


 
.