PPM3T20V6 Todos los transistores

 

PPM3T20V6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPM3T20V6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-3L
     - Selección de transistores por parámetros

 

PPM3T20V6 Datasheet (PDF)

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PPM3T20V6

PPM3T20V6 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) G128 @ VGS=-4.5V -20 -4.5 38 @ VGS=-2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 12 V Continuous I

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: G1008 | INJ0303AC1 | BSP92P | P0550AT | NDB610AE | 2SK1953 | SWD4N80K

 

 
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