PPM3T20V6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPM3T20V6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT-23-3L

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PPM3T20V6 datasheet

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PPM3T20V6

PPM3T20V6 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) G 1 28 @ VGS=-4.5V -20 -4.5 38 @ VGS=-2.5V S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V Continuous I

Otros transistores... PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, STP80NF70, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E