Справочник MOSFET. PPM3T20V6

 

PPM3T20V6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPM3T20V6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM3T20V6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  prisemi
 ppm3t20v6.pdf pdf_icon

PPM3T20V6

PPM3T20V6 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) G128 @ VGS=-4.5V -20 -4.5 38 @ VGS=-2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 12 V Continuous I

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1608 | JCS5N50CT | SFS08R20PF | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.