Справочник MOSFET. PPM3T20V6

 

PPM3T20V6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPM3T20V6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 

 Аналог (замена) для PPM3T20V6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM3T20V6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  prisemi
 ppm3t20v6.pdf pdf_icon

PPM3T20V6

PPM3T20V6 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) G128 @ VGS=-4.5V -20 -4.5 38 @ VGS=-2.5V S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 12 V Continuous I

Другие MOSFET... PNMTOF600V4 , PNMTOF600V5 , PNMTOF600V7 , PNMTOF600V8 , PNMTOF650V13 , PNMUT20V06 , PNMVT20V03E , PPF240M , 20N50 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 , PPMDP100V10 , PPMET20V08 , PPMET20V08E .

History: AOT5N60 | IRFP254N | 2SK3522N | AP9585GM-HF | NCEP020N60GU

 

 
Back to Top

 


 
.