PPM3T20V6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPM3T20V6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

Аналог (замена) для PPM3T20V6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM3T20V6 даташит

 ..1. Size:124K  prisemi
 ppm3t20v6.pdf pdf_icon

PPM3T20V6

PPM3T20V6 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) G 1 28 @ VGS=-4.5V -20 -4.5 38 @ VGS=-2.5V S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V Continuous I

Другие IGBT... PNMTOF600V4, PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, STP80NF70, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E