PPM523T201E0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPM523T201E0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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PPM523T201E0 datasheet

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PPM523T201E0

PPM523T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) 0.6@ VGS=-4.5V G 1 -20 0.9@ VGS=-2.5V 300 1.5@ VGS=-1.8V S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 V Ga

Otros transistores... PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, IRFP450, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3