PPM523T201E0 Todos los transistores

 

PPM523T201E0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPM523T201E0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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PPM523T201E0 Datasheet (PDF)

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PPM523T201E0

PPM523T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) 0.6@ VGS=-4.5V G1 -20 0.9@ VGS=-2.5V 300 1.5@ VGS=-1.8V S2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 VGa

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