PPM523T201E0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPM523T201E0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для PPM523T201E0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM523T201E0 даташит

 ..1. Size:133K  prisemi
 ppm523t201e0.pdf pdf_icon

PPM523T201E0

PPM523T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) 0.6@ VGS=-4.5V G 1 -20 0.9@ VGS=-2.5V 300 1.5@ VGS=-1.8V S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 V Ga

Другие IGBT... PNMTOF600V5, PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, IRFP450, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3