Справочник MOSFET. PPM523T201E0

 

PPM523T201E0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPM523T201E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для PPM523T201E0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM523T201E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  prisemi
 ppm523t201e0.pdf pdf_icon

PPM523T201E0

PPM523T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) 0.6@ VGS=-4.5V G1 -20 0.9@ VGS=-2.5V 300 1.5@ VGS=-1.8V S2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 VGa

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.