PPM6N12V10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPM6N12V10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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PPM6N12V10 datasheet

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PPM6N12V10

PPM6N12V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary V (V) R (m ) I (A) DS DS(on) D -12 12 @ V =-4.5V -10 GS Internal structure Bottom View D D G 3 2 1 6 D 1 D 5 D D 2 D S 4 S G 3 6 5 4 D D S Absolute maximum ratin

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PPM6N12V10

PPM6N20V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) -20 14 @ VGS=-4.5V -10 Bottom View Internal structure D D G 3 2 1 1 6 D D 2 5 D D 3 4 G S 6 5 4 D D S Absolute m

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