All MOSFET. PPM6N12V10 Datasheet

 

PPM6N12V10 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: PPM6N12V10

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 2.4 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 12 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 8 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1 V

Maximum Drain Current |Id|: 10 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 21 nC

Rise Time (tr): 11 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 490 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.017 Ohm

Package: DFN2x2-6L

PPM6N12V10 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

 

PPM6N12V10 Datasheet (PDF)

1.1. ppm6n12v10.pdf Size:125K _update_mosfet

PPM6N12V10
PPM6N12V10

PPM6N12V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(mΩ) ID(A) -12 12 @ VGS=-4.5V -10 Bottom View Internal structure (D) (D) (G) 3 2 1 1 6 (D) (D) 2 5 (D) (D) D S 3 4 (G) (S) 6 5 4 (D) (D) (S) Absol

5.1. ppm6n20v10.pdf Size:125K _update_mosfet

PPM6N12V10
PPM6N12V10

PPM6N20V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(mΩ) ID(A) -20 14 @ VGS=-4.5V -10 Bottom View Internal structure (D) (D) (G) 3 2 1 1 6 (D) (D) 2 5 (D) (D) 3 4 (G) (S) 6 5 4 (D) (D) (S) Absolute m

Datasheet: IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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