PPM6N12V10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPM6N12V10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для PPM6N12V10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM6N12V10 даташит

 ..1. Size:1131K  prisemi
 ppm6n12v10.pdf pdf_icon

PPM6N12V10

PPM6N12V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary V (V) R (m ) I (A) DS DS(on) D -12 12 @ V =-4.5V -10 GS Internal structure Bottom View D D G 3 2 1 6 D 1 D 5 D D 2 D S 4 S G 3 6 5 4 D D S Absolute maximum ratin

 9.1. Size:125K  prisemi
 ppm6n20v10.pdf pdf_icon

PPM6N12V10

PPM6N20V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) -20 14 @ VGS=-4.5V -10 Bottom View Internal structure D D G 3 2 1 1 6 D D 2 5 D D 3 4 G S 6 5 4 D D S Absolute m

Другие IGBT... PNMTOF600V7, PNMTOF600V8, PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, TK10A60D, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3, PPMT12V4