Справочник MOSFET. PPM6N12V10

 

PPM6N12V10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPM6N12V10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM6N12V10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1131K  prisemi
 ppm6n12v10.pdf pdf_icon

PPM6N12V10

PPM6N12V10P-Channel MOSFETDescriptionThe enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.MOSFET Product SummaryV (V) R (m) I (A)DS DS(on) D-12 12 @ V =-4.5V -10GSInternal structureBottom ViewD D G3216D1D5DD2D S4SG36 5 4D DSAbsolute maximum ratin

 9.1. Size:125K  prisemi
 ppm6n20v10.pdf pdf_icon

PPM6N12V10

PPM6N20V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -20 14 @ VGS=-4.5V -10Bottom View Internal structure D D G 3 2 11 6 D D2 5 D D 3 4 G S6 5 4D D S Absolute m

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.